- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/40 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 41/40
Brevets de cette classe: 158
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
69 |
Monolithic 3D Inc. | 270 |
19 |
SK Hynix Inc. | 11030 |
15 |
Micron Technology, Inc. | 24960 |
10 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
9 |
Kioxia Corporation | 9847 |
5 |
Schottky Lsi, Inc. | 19 |
3 |
Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
3 |
Western Digital Technologies, Inc. | 1043 |
2 |
Sandisk Technologies LLC | 5684 |
2 |
Winbond Electronics Corp. | 1173 |
2 |
Renesas Electronics Corporation | 6305 |
1 |
Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
1 |
Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
1 |
Besang, Inc. | 17 |
1 |
FlashSilicon Incorporation | 24 |
1 |
Silicon Storage Technology, Inc. | 678 |
1 |
Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 155 |
1 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
1 |
Autres propriétaires | 2 |